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            文章詳情

            SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則

            日期:2022-05-27 08:46
            瀏覽次數:1349
            摘要: 舉例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構: M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器) 100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A G 表示IGBT開關 B 表示線路的類型或者特點: A——表示線路為單只開...
            舉例:                         SKM100GB123D
            SK SK表示SEMIKRON的IGBT
             M 表示應用技術或者模塊結構:
            M——表示采用MOS技術
            D——表示七單元模塊(即互相整流橋+1CBT斬波器)
            100 表示集電極電流等級,條件Tcase =25℃時的Ic,單位為A
            G 表示IGBT開關
              B 表示線路的類型或者特點:
            A——表示線路為單只開關
            AL——表示線路為斬披器模塊(即IGBT+集電極端續流二極管)
            AR——表示線路為斬波器模塊(即 1GBT+發射極端續流二極管)
            AH——表示線路為非對稱H 橋
            AX——表示線路為單只IGBT+集電極端串聯二極管(反向阻斷)
            AY——表示線路為單只IGBT+發射極端串聯二極管(反向阻斷)
            B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
            BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
            D——表示線路為六單元(三相橋)
            DL——表示線路為七單元(三相橋+AL斬波器)
            H——表示線路為單相全橋
            M——表示線路為兩只lGBT在集電極端相連
            12 表示集電極與發射極間電壓等級( VCE為型號中的數字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
            3 表示IGBT的系列號:
            0——表示第1代產品(1988 ~ 1991 年,集電極額定電流為Tcase =80℃時的值)
            1、2——表示笫l代產品(1992~1996 年,集電極額定電流為Tcase =25℃時的值。600V產品為集電極I額定電流Tcase =80℃時的值
            3——表示第2代產品(600V與1200v為高密度NPT型IGBT。1700V為第1代NPT型IGBT+ CAL二極管。600V產品為集電極額定電流為Tase=80℃時的值。1200V與1700V產品為集電極額定電流為Tcase=25℃時的值
            4——表示高密度、低飽和壓降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
            5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
            6——表示溝道式NPT型IGBT
            D 表示為特點:
            D-表示快速恢復二極管
            K——表示SEMIKRON五號外殼帶螺栓端予
            L——表示六單元外殼帶焊接端子
            S——表示集電極檢測端子
            I——表示加強的反向二極管(高功率輸出)
            賽米控的IGBT的命名方法與規律2見表2。
            舉例:          SK 100 G B 12 3×
            SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
            100 表示集電極電流等級,條件Tcase= 25℃時的Ic,單位為A。
            G 表示應用技術或者模塊結構:
            G——表示IGBT開關
            M——表示MOSFET開關
            B 表示線路的類型或者特點:
            A——表示線路為單只開莢
            AL——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+集電極端續流二極管)
            AR——表示線路為斬波器模塊(即 IGBT+發射極端續流二極管)
            AH——表示線路為非對稱H 橋
            B——表示線路為兩單元模塊(半橋)
            BD——表示線路為兩單元模塊(半橋)+串聯二極管(反向阻斷)
            D——表示線路為六單元(三相橋)
            H——表示線路為單相全橋
            12 表示集電極與發射極闖電壓等級(VCE為絕號中的數字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
            3 表示IGBT的系列號:
            2——表示PT型(僅600V產品)
            3——表示高密度NPT型產品
            4——表示高密度、低飽和壓降 NPT型ICBT
            5——表示高密度、高速NPT型IGBT
            × 特點(沒有定義)

            京公網安備 11010802025865號

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